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IGBT模塊的過載保護(hù)通常涉及以下幾個(gè)方面：

過流保護(hù)：這是非常重要的，因?yàn)镮GBT的耐過流能力較差，過流可能會(huì)在很短的時(shí)間內(nèi)損壞IGBT。過流保護(hù)可以通過電流測量或去飽和檢測來實(shí)現(xiàn)。在一些設(shè)計(jì)中，使用分流電阻或電流互感器來檢測過流情況，當(dāng)檢測到過流時(shí)，控制電路會(huì)迅速切斷IGBT的觸發(fā)信號，實(shí)現(xiàn)保護(hù)

過壓保護(hù)：在IGBT從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，由于電路中的雜散電感和負(fù)載電感，可能會(huì)產(chǎn)生很高的電壓尖峰，因此過壓保護(hù)也非常重要。過壓保護(hù)可以通過優(yōu)化電路設(shè)計(jì)減少雜散電感、使用吸收回路等方法來實(shí)現(xiàn)

退飽和現(xiàn)象及其保護(hù)：在IGBT導(dǎo)通時(shí)，如果集電極-發(fā)射極電壓（Uce）降低到某個(gè)閾值以下，IGBT可能會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)。為了防止這種情況，一些驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部會(huì)設(shè)置退飽和保護(hù)機(jī)制，當(dāng)檢測到退飽和現(xiàn)象時(shí)，會(huì)及時(shí)關(guān)斷IGBT

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Overload protection of IGBT modules usually involves the following aspects:

Overcurrent protection: This is very important because IGBTs have poor overcurrent resistance and overcurrent may damage IGBTs in a very short period of time. Overcurrent protection can be achieved by current measurement or desaturation detection. In some designs, shunt resistors or current transformers are used to detect overcurrent, and when overcurrent is detected, the control circuit will quickly cut off the IGBT trigger signal to achieve protection

Overvoltage protection: When the IGBT switches from the on state to the off state, high voltage spikes may be generated due to stray inductors and load inductors in the circuit, so overvoltage protection is also very important. Overvoltage protection can be achieved by optimizing circuit design to reduce stray inductance and using absorption loop

Desaturation phenomenon and its protection: If the collector-emitter voltage (Uce) drops below a certain threshold when the IGBT is on, the IGBT may enter a desaturation state. In order to prevent this, some driver chips will be set inside the desaturation protection mechanism, when the desaturation phenomenon is detected, the IGBT will be turned off in time

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